乐清英科尔电子商务有限公司

平板普通晶闸管(可控硅)：KP100A-5000A/400V-5000V
平板快速晶闸管(可控硅)：KK200A-3500A/1000V-3000V
平板高频晶闸管(可控硅)：KG(KA)200A-1500A/1000V-2000V
平板双向晶闸管(可控硅)：KS100A-1500A/400V-3000V
螺栓普通晶闸管(可控硅)：KP5A-500A/200V-2000V
平板普通硅整流管：ZP100A-12000A/400V-5000V
螺栓普通硅整流管：ZP5A-500A/200V-2000V
晶闸管模块:MTC,MTA,MTK,MTX(25A-800A/800V-2500V)
整流管模块:MDC,MDA,MDK(25A-800A/800V-2500V)
晶闸管整流管混合模块:MFC,MFA,MFK(25A-800A/800V-2500V)
整流桥模块:MDS60A-500A,MDQ60A-500A(800V-2000V)
各种配套的散热器:SS,SF,SZ,SL,PRD等全系列
欢迎经销商，代理商，厂家，终端客户来电来函垂询!!

晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在*反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到*程度时，pn结空间电荷层中的电场强度*临界值产生载流子的*过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。